腦電性能模擬器

腦電性能模擬器SEEG100，專(zhuān)為法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的 EEG 腦電性能測(cè)試儀，符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：IEC 60601-2-26:2012、GB 9706.226-2021、JJG 1043、JJF 1388、JJF 1390。

產(chǎn)品型號(hào)：SEEG100
廠(chǎng)商性質(zhì)：代理商
更新時(shí)間：2026-05-31
訪(fǎng) 問(wèn) 量：2465

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詳細(xì)介紹

腦電性能模擬器

SEEG 100腦電性能測(cè)試儀介紹

腦電圖性能模擬器SEEG100，專(zhuān)為法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的 EEG 腦電性能測(cè)試儀，符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：IEC 60601-2-26:2012、GB 9706.226-2021、JJG 1043、JJF 1388、JJF 1390。
適用于研發(fā)、法規(guī)符合性及產(chǎn)線(xiàn)測(cè)試。

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

腦電性能模擬器SEEG100，專(zhuān)為法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的EEG腦電性能測(cè)試儀，符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn): IEC 60601-2-26:2012、JJG 1043、JJF 1388、JJF 1390。適用于研發(fā)、法規(guī)符合性及產(chǎn)線(xiàn)測(cè)試

產(chǎn)品特點(diǎn)

1.專(zhuān)為法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的EEG腦電性能測(cè)試儀，符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn): IEC 60601-2-26；

2.依據(jù)新的EEG國(guó)際法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)IEC 60601-2-26:2012所設(shè)計(jì)；

3.精密電路設(shè)計(jì)，可輸出1µV微小訊號(hào)；

4.9通道自動(dòng)切換開(kāi)關(guān)可作個(gè)別信道的性能測(cè)試；

5.內(nèi)建 620kΩ/4.7nF 輸出阻抗測(cè)試的EEG標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試電路；

6.良好的屏蔽與接地設(shè)計(jì)讓訊號(hào)輸出更加準(zhǔn)確；

7.可做為EEG訊號(hào)撥放器，可撥放PhysioNet EDF、text、binary 格式的波型訊號(hào)；

8.IEC 60601-2-26 小幫手可簡(jiǎn)化法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試所需花費(fèi)的人力與時(shí)間。

外形尺寸： 17cm（長(zhǎng)）*10cm（寬）*5cm（高），接線(xiàn)盒尺寸：13.5cm（長(zhǎng)）*7.5cm（寬）*4.5cm（高）

腦電性能模擬器規(guī)格

參數(shù)	規(guī)格
主輸出電壓精確度	±0.3%
主輸出電壓分辨率（DAC 分辨率）	0.5μV
頻率 / 脈沖重復(fù)率精確度	±0.1%
脈沖間期 / 時(shí)間精確度	±0.2ms
電阻容忍度	±0.5%
電容容忍度	±5%
精密 1000:1 分壓器	±0.05%
取樣率	5kHz ± 0.05% (50ppm)
直流偏移（內(nèi)部超級(jí)電容提供的固定電壓、無(wú)噪聲偏移）	300mV ±0.1%
直流偏移（細(xì)調(diào)，最多可包含 50μVpp 噪聲）	設(shè)定 ±1% 或 ±3mV
電源供應(yīng)	通常<0.25A 若所有繼電器都打開(kāi)，最高可耗 0.45A
環(huán)境	室內(nèi)用 5 ~ 40°C 50 ~ 80% RH 海拔高度 < 2000M（最高）
安全性訊號(hào)處理	內(nèi)建 USB IC 的保護(hù)機(jī)制，免受高電壓電流影響；以及特殊的濾波器，以減少來(lái)自微處理器（8MHz）和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器（200kHz）的噪聲。